CMOS技術のためのHigh-kゲート誘電体に関する新刊書｜応用物理学会のブース展示で好評

先進的な電界効果トランジスタ(FET)向けのHigh-k誘電性材料について、最新の知識を基礎理論・応用技術の両面から解説する新刊書が刊行されました。本書は、High-k誘電性材料が従来の材料と比べて優位な点を明らかにするとともに、既存の生産技術との統合を図る上での課題を説明します。現在のトランジスタ設計のスケールダウンの限界、High-k誘電性材料のための蒸着技術、デバイスの電気的評価、トランジスタスタック技術の今後の展望などのトピックが取り上げられています。

この分野の初学者向けの章から高度な内容までバランスよく収めた本書は、産学両界の幅広い読者におすすめできる一冊です。本書は、今月松山で行われた2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会でのブース展示で、参加者の方々からご好評をいただきました。

High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology
Gang He (Editor), Zhaoqi Sun (Editor)
ISBN: 978-3-527-33032-4
Hardcover / 590 pages / August 2012
US$215.00

（上の書名または右上の表紙画像をクリックすると、リンク先のページで、試読用に無料公開されているサンプル章をご覧いただけます。）

　Table of Contents　

Scaling and Limitations of Si-based CMOS
Oxide Reliability Issues
Development and Limitations of Silicon Oxynitride Gate Dielectrics
High-k Gate Dielectrics: Why Do We Need Them?
Materials Issues for High-k Gate Dielectrics Selection and Integration
High-k Gate Dielectrics Deposition Technology
Atomic-scale Characterization Methods in High-k/Si Gate Stacks
Electronic Structure and Band Offsets of Alternative High-k Gate Dielectrics
Issues of Dipole Layers Formed in High-k/Si Interfaces
Physicochemical Properties of Selected 4d, 5d and Rare Earth Metals in Silicon
Integration and Challenges of Hf-based High-k Gate Dielectrics
Integration and Challenges of La-based High-k Gate Dielectrics
Integration and Challenges of Perovskite-structured Oxide Gate Dielectrics
Issues in Metal Gate Electrode Selection for Bulk CMOS Devices
Advances and Challenges in Gate Electrodes
High-k Gate Dielectric Materials Integrated Circuit Device Design Issues
Future Gate stack Technology for the 22nm Node and Beyond